SQD50P04-13L_GE3-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:10mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）具備優異的導通性能與高電流承載能力，適用于多種電源及功率控制場景。其主要參數為：漏極電流ID達50A，漏源電壓VDSS為40V，導通電阻RDON低至10毫歐，有助于降低功耗并提升系統效率。該器件常用于高側開關電路、電池管理系統、智能家電及便攜式電子設備中，提供穩定可靠的功率控制解決方案。
