DMG4800LSDQ-13-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:12mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款場效應管（MOSFET）采用NN溝道組合設計，具備優(yōu)異的導通與開關性能。其漏極電流ID可達10A，漏源電壓VDSS為30V，滿足中高功率場景需求。導通電阻RDON低至12mΩ，有助于降低導通損耗并提升系統(tǒng)效率。該器件適用于電源管理、DC-DC轉換、負載開關及高性能計算設備中的高頻開關應用，提供穩(wěn)定可靠的電氣性能表現。
