SI7129DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:32A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:10mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）具有30V的漏源耐壓（VDSS）和32A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDON）低至10毫歐，可支持高效功率傳輸。采用P溝道結構，適用于各類中高功率電源管理場景，如直流電源轉換、負載開關控制及電池管理系統(tǒng)等。器件具備良好的熱穩(wěn)定性和響應速度，能夠在較寬的工作溫度范圍內保持可靠性能，適合用于對效率與空間布局均有要求的電路設計。
