SMIRF8N65T2TL-HXY_TO-220F_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數1：電流ID:10A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:860mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為N溝道場效應管（MOSFET），具備10A的連續漏極電流（ID）和650V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于高壓開關應用環境。導通電阻（RDON）為860mΩ，在同類器件中具備良好的導通性能，有助于提升電路效率。器件結構設計優化，具有較強的耐壓能力和穩定的工作表現，適用于電源適配器、充電器、LED驅動模塊以及各類交直流轉換設備中的高頻開關電路設計，滿足高效能與高可靠性要求。
