SMIRF4N65T2TL-HXY_TO-220F_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流ID:4A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:2400mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）適用于多種高壓功率轉(zhuǎn)換與電源管理應(yīng)用。其主要參數(shù)包括：最大漏極電流ID為4A，漏源電壓VDSS高達650V，導通電阻RDON為2400mΩ，具備良好的耐壓性能和開關(guān)穩(wěn)定性。該器件適用于高效率電源適配器、LED驅(qū)動電路、高頻DC-AC逆變器以及各類中小型功率電子設(shè)備的設(shè)計與實現(xiàn)，滿足對高壓工作環(huán)境下的可靠運行需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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