RQ5E035ATTCL-HXY_SOT-23-3L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23-3L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:4.2A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:45mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和4.2A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDON）僅為45mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗并提升整體效率。該器件適用于中低功率電源管理系統(tǒng)，如便攜式電子設(shè)備、智能家居控制模塊及小型電源適配器等應(yīng)用場(chǎng)景。其優(yōu)異的電氣性能與穩(wěn)定的開關(guān)表現(xiàn)，使其成為各類消費(fèi)類電子產(chǎn)品中理想的場(chǎng)控開關(guān)元件，滿足高效、低發(fā)熱與高可靠性的設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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