DMTH43M8LPSQ-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:130A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:2.8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有130A的漏極電流ID和40V的漏源擊穿電壓VDSS，導通電阻RDON僅為2.8mΩ，表現出優異的導電性能與較低的功率損耗。該器件適用于高效率、大電流的開關應用，如電源轉換模塊、電池充放電管理、高性能計算設備供電系統以及各類便攜式大功率電子裝置中的電力控制環節。其低導通電阻特性有助于提升能效并改善熱管理表現。
