SQD15N06-42L_GE3-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:27mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有60V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDON）低至27毫歐，適用于高效能電源管理與轉(zhuǎn)換場景。器件采用成熟工藝制造，具備良好的熱穩(wěn)定性和開關(guān)特性，適合用于直流電機(jī)控制、功率開關(guān)電路以及電池供電設(shè)備中的能量調(diào)節(jié)模塊。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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