AON7406_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:15mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有以下主要參數(shù)：最大漏極電流ID為20A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，導(dǎo)通電阻RDON低至15mΩ，適合高效率功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)工藝制造，具備良好的熱穩(wěn)定性和快速開關(guān)特性，適用于電源管理、電池充放電控制、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及各類中高功率電子設(shè)備。其低導(dǎo)通電阻有效降低了導(dǎo)通損耗，提升了系統(tǒng)整體效率，同時(shí)支持高頻工作，滿足對(duì)空間和能效有要求的高性能電路設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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