PMV20XNEAR-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:7A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:15mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）主要參數(shù)如下：最大漏極電流ID為7A，漏源擊穿電壓VDSS為20V，導通電阻RDON為15mΩ。該器件具備快速開關響應和良好的熱穩(wěn)定性，適用于多種中低功率應用場景。其較低的導通電阻有助于提升效率并減少發(fā)熱。此類MOSFET可應用于便攜式電子設備、電池供電系統(tǒng)、DC-DC轉換器及各類小型化電路設計中，滿足高效能與高集成度的需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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