DMTH6016LFVWQ-13-A-HXY_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:40A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:12mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）主要參數(shù)如下：漏極電流ID可達(dá)40A，漏源電壓VDSS為60V，導(dǎo)通電阻RDON僅為12mΩ，具備優(yōu)異的導(dǎo)通性能與較低的能量損耗。該器件適用于各類中高功率電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，如開關(guān)電源、逆變器、電池管理系統(tǒng)及直流負(fù)載控制電路等，能夠?qū)崿F(xiàn)高效、穩(wěn)定的電力傳輸與控制，滿足對性能與可靠性有較高要求的應(yīng)用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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