DMTH6016LFVW-13-HXY_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:40A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:12mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有以下主要參數(shù)：最大漏極電流ID為40A，漏源擊穿電壓VDSS為60V，導(dǎo)通電阻RDON低至12mΩ。該器件適用于需要高效功率控制的場(chǎng)合，能夠提供良好的導(dǎo)通性能和快速開關(guān)特性。其低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率。此MOSFET可廣泛用于電源管理、負(fù)載開關(guān)、適配器及各類高密度電子設(shè)備中，滿足多樣化電路設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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