IPD50N04S410ATMA1-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:7.7mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為N溝道增強型場效應管（MOSFET），適用于高效率、高密度電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。其主要參數(shù)包括：漏極電流ID為60A，漏源電壓VDSS為40V，導通電阻RDON低至7.7mΩ，可有效降低導通損耗并提升系統(tǒng)效率。該器件采用先進工藝制造，具備優(yōu)良的熱穩(wěn)定性和可靠性，適用于各類高性能開關電源、同步整流、電池管理及負載開關等應用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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