IPD50N04S4-08-HXY_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:7.7mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有優(yōu)異的導(dǎo)通能力和穩(wěn)定性能，適用于多種中高功率電子系統(tǒng)。其主要參數(shù)包括：最大漏極電流ID為60A，漏源電壓VDSS為40V，導(dǎo)通電阻RDON低至7.7mΩ，有效降低導(dǎo)通損耗并提升整體效率。器件采用優(yōu)化設(shè)計(jì)，具備良好的熱管理特性與耐用性，適用于電源轉(zhuǎn)換器、儲能系統(tǒng)、負(fù)載開關(guān)及高性能計(jì)算設(shè)備中的功率控制單元，滿足對能效和可靠性有較高要求的應(yīng)用場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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