AOTL66912_TOLL_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TOLL 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:350A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:1.4mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買>-------
本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備高電流承載能力和優(yōu)異的導(dǎo)通性能，主要參數(shù)包括：最大漏極電流ID為350A，漏源擊穿電壓VDSS為100V，導(dǎo)通電阻RDON低至1.4mΩ。器件設(shè)計(jì)采用成熟工藝，確保在高負(fù)載條件下仍具有良好的穩(wěn)定性和耐久性。適用于高效電源變換裝置、儲(chǔ)能管理系統(tǒng)、智能電力設(shè)備及高性能計(jì)算平臺(tái)等場(chǎng)景，滿足對(duì)電能轉(zhuǎn)換效率與系統(tǒng)可靠性有較高要求的應(yīng)用需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
