NTA4151PT1G-HXY_SOT-523_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-523 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:0.66A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）主要參數(shù)如下：漏極電流ID為0.66A，漏源擊穿電壓VDSS為20V，導(dǎo)通電阻RDON為260mΩ。該器件適用于低電壓電源管理及信號切換電路，具備良好的開關(guān)特性和穩(wěn)定性。由于其較低的工作電壓特性，適合用于便攜式電子設(shè)備、邏輯控制電路以及各類小型化應(yīng)用中，有助于實現(xiàn)電路的高效運行與簡化設(shè)計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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