BSC060P03NS3EGATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:70A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道增強型場效應管（MOSFET）適用于多種高效率電源管理與功率控制電路。其最大漏極電流ID可達70A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，導通電阻RDON低至6mΩ，有效降低導通損耗并提升系統整體效率。器件采用先進制造工藝，具備良好的熱穩定性和可靠性，適用于同步整流、DC-DC轉換、電池供電設備及便攜式電子產品中的電源模塊設計，能夠滿足高性能電力電子應用對效率與集成度的需求。
