BSC050N0LSG-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有30V漏源耐壓（VDSS），可持續通過80A漏極電流（ID），導通電阻（RDON）低至4.7毫歐，適用于高功率密度和高效能轉換的電路設計。器件基于高性能硅工藝制造，具備優異的開關速度與熱穩定性，適合用于電源適配器、儲能系統、消費類電子設備及高性能計算模塊等場景。其超低導通電阻顯著降低導通損耗，提升整體系統效率，滿足對功率控制有嚴苛要求的應用需求。
