FDD6035AL-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備優異的電氣性能和穩定的工作表現，適用于多種高要求電路設計。主要參數包括：最大漏極電流ID為50A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，導通電阻RDON低至7.5mΩ，有效降低導通損耗并提升整體效率。器件采用標準封裝形式，具備良好的散熱能力與可靠性，適用于電源轉換、電機控制、儲能系統及精密電子設備中的高頻開關應用，滿足多樣化場景的技術需求。
