CWDM3011P-HXY_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:11A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:13mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有30V漏源電壓（VDSS）和11A連續(xù)漏極電流（ID）能力，適用于中等功率開關(guān)應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻（RDON）低至13毫歐，有助于減少導(dǎo)通損耗，提高能效。器件具備良好的熱穩(wěn)定性和開關(guān)特性，適合用于電源轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)、消費類電子產(chǎn)品及各類通用負(fù)載控制電路中的功率開關(guān)元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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