BSC027N06LS5ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:125A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:2.4mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備高性能與高穩(wěn)定性的特點，適用于多種功率電子系統(tǒng)。其主要參數(shù)包括：最大漏極電流ID為125A，漏源擊穿電壓VDSS為60V，導(dǎo)通電阻RDON低至2.4mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。器件采用優(yōu)化設(shè)計，具備快速開關(guān)響應(yīng)和良好熱穩(wěn)定性，適合應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換器、儲能系統(tǒng)、電機控制電路以及各類精密電子設(shè)備中的功率管理環(huán)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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