BSC070N10LS5ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備高性能與高可靠性的特點，適用于多種電源管理及功率控制場景。其最大漏極電流ID為80A，漏源擊穿電壓VDSS為100V，支持較高功率的開關與導通需求；導通狀態下的電阻RDON僅為6.4mΩ，顯著降低導通損耗，提高整體效率。器件結構設計優化，具備良好的熱穩定性和快速開關響應能力，適合應用于高密度電源轉換系統及高效能電子設備中。
