DMT10H009SPS-13-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:6.4mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有較高的電流承載能力和優(yōu)異的導通特性。其主要參數(shù)包括：最大漏極電流ID為80A，漏源耐壓VDSS為100V，導通電阻RDON僅為6.4mΩ，可有效減少導通損耗并提升整體效率。該器件適用于各類高效電源系統(tǒng)，如開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、同步整流電路以及高密度電源模塊等，能夠滿足對性能和可靠性有較高要求的電路設(shè)計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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