FQA24N50-HXY_TO-3P_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3P 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:28A 參數(shù)2：電壓VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:150mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為N溝道增強型場效應(yīng)管（MOSFET），具有500V的漏源擊穿電壓（VDSS）和28A的連續(xù)漏極電流（ID），適用于中高壓功率控制場景。其導通電阻（RDON）典型值為150毫歐，在高頻開關(guān)應(yīng)用中可有效降低導通損耗，提升系統(tǒng)能效。器件采用標準封裝形式，具備良好的散熱性能與長期工作穩(wěn)定性，適用于電源轉(zhuǎn)換設(shè)備、照明控制系統(tǒng)、電機驅(qū)動模塊以及其他需要高效功率管理的電子裝置。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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