RJK5009DPP-HXY_TO-220F_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-220F 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：50/管裝 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:260mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為N溝道增強型場效應(yīng)管（MOSFET），具備500V的漏源擊穿電壓（VDSS）和20A的最大漏極電流（ID），適合中高功率應(yīng)用場景。導(dǎo)通電阻（RDON）典型值為260mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。該器件采用標(biāo)準(zhǔn)封裝形式，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，適用于電源轉(zhuǎn)換、電機控制、智能家電及高性能電子設(shè)備中的開關(guān)電路設(shè)計。其參數(shù)特性支持高頻工作，有利于減小外圍元件體積，提高整體設(shè)計靈活性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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