NTMFS4C09NT3G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）采用先進工藝制造，具備低導通電阻與高電流承載能力，適用于多種高性能電源管理及功率轉換場景。其主要參數(shù)包括：最大漏極電流ID為60A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，導通狀態(tài)下的漏源電阻RDON僅為4.3mΩ，有助于減少導通損耗、提高轉換效率。器件具有良好的熱穩(wěn)定性與開關特性，適合用于同步整流、直流電機控制、電源管理系統(tǒng)以及高密度電源模塊等應用，滿足對效率與可靠性有較高要求的電路設計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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