NTMFS4C09NT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:60A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有60A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于中低電壓高電流應(yīng)用場景。其導(dǎo)通電阻（RDON）低至4.3mΩ，有效降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。該器件適合用于電源管理模塊、電池供電設(shè)備、DC-DC轉(zhuǎn)換器及電機(jī)驅(qū)動電路等場合，具備良好的熱穩(wěn)定性和快速開關(guān)響應(yīng)能力，可滿足對效率與可靠性有較高要求的電子設(shè)計方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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