SIRA14DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:60A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有優異的導通性能與開關特性，適用于多種高效能電源管理系統。其主要參數包括：漏極電流ID為60A，漏源電壓VDSS為30V，導通電阻RDON低至4.3mΩ，能夠有效降低功率損耗并提升系統效率。該器件采用先進工藝制造，具備良好的熱穩定性和可靠性，適合應用于高密度電源轉換、同步整流、負載開關及電池管理等場景，為電路設計提供靈活而高效的解決方案。
