NTH4L027N65S3F-HXY_TO-247-4L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:97A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:25mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為N溝道場效應(yīng)管（MOSFET），具備高電流承載能力和優(yōu)異的導(dǎo)電效率。其最大漏極電流ID可達(dá)97A，漏源電壓VDSS支持650V，導(dǎo)通電阻RDON低至25mΩ，有效降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率。該器件適用于高頻開關(guān)電源、電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、新能源設(shè)備及精密電子控制電路等應(yīng)用領(lǐng)域，在高負(fù)載與高效率要求的場景中表現(xiàn)出色，滿足多樣化電力管理需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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