NTTFS015N04CTAG-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:60A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:12mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有以下主要參數：最大漏極電流ID為60A，漏源擊穿電壓VDSS為40V，導通電阻RDON低至12mΩ，柵源電壓VGS為±20V。該器件采用高性能硅工藝，具備較低的導通損耗和高效的開關特性，適用于電源管理、DC-DC轉換器、負載開關以及各類高密度電源系統中。其封裝設計便于散熱與集成，可在多種高要求電路環境中穩定工作，提供可靠的能量傳輸表現。
