HXY30HS03DF_DFN3X3D-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3D-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:8.8mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N+N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款NN溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）設(shè)計(jì)用于高效能電源管理應(yīng)用。它具有30A的連續(xù)漏極電流ID，適用于處理高負(fù)載電流的需求。VDSS電壓為30V，確保在多數(shù)低壓電路中提供足夠的安全邊際。導(dǎo)通電阻RDON僅為8.8毫歐姆，有助于降低功耗和提高效率。柵源電壓VGS為20V，能夠兼容多種驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)要求。雙N溝道結(jié)構(gòu)使得該元件非常適合需要同步整流或并聯(lián)操作的應(yīng)用場(chǎng)景，以實(shí)現(xiàn)更加緊湊和高效的電源解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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