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IPD050N03LGATMA1_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數(shù)1:電流ID:100A 參數(shù)2:電壓VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:3.8mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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此款N型場效應(yīng)管提供100A的電流承載能力和30V的工作電壓范圍,適用于多種非工業(yè)領(lǐng)域。其內(nèi)阻典型值低至3.8mΩ,顯著降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的能耗。20V的VGS閾值電壓確保了在廣泛的應(yīng)用環(huán)境中都能實(shí)現(xiàn)可靠的開關(guān)性能。該元件適合用于消費(fèi)電子產(chǎn)品的電源管理、高效能轉(zhuǎn)換電路以及其他要求高性能和低功耗的應(yīng)用場景中。

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  • 深圳市華軒陽電子有限公司
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