SPD04N50C3_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:4A 參數(shù)2：電壓VDSS:500V 參數(shù)3：RDON:2400mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
【4N50 場效應管(MOSFET)】采用TO-252-2L封裝，具備4A的最大漏極電流和500V的漏源耐壓，低至2.4mΩ的導通電阻確保了高效能表現(xiàn)。該N溝道MOSFET在30V柵源驅(qū)動電壓下展現(xiàn)優(yōu)異的開關速度與穩(wěn)定性，適用于多種電路保護和電源轉換應用，是精密電子項目中的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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