HCSD16340Q3_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:90A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）擁有卓越的電氣特性，最大漏極電流ID為90A，擊穿電壓VDSS達(dá)到30V，而導(dǎo)通電阻RDON低至3.5mΩ，工作于VGS=20V條件下。該MOSFET適用于高效率的電源管理及快速開關(guān)應(yīng)用，例如電池充電器、便攜式設(shè)備的電源適配器等場合，能夠有效減少能量損耗，提升系統(tǒng)的整體性能。其小巧的封裝設(shè)計也便于集成到各種緊湊型電子產(chǎn)品中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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