HPNMT20V3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:3A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:43mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）具有3A的最大漏極電流（ID），適用于需要中等電流承載能力的電路設計。其漏源極耐壓（VDSS）為20V，適合在標準電壓范圍內工作的應用。導通電阻（RDS(on)）僅為43mΩ，有助于減少發(fā)熱并提高效率。該器件支持最高12V的柵源極電壓（VGS），便于與多數(shù)控制電路兼容。這款MOSFET可用于電源管理、信號處理等多種電子項目中，作為高效的開關或放大組件，提供穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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