HMCG50N03TP_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:55A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:4.7mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）提供55A的連續(xù)漏極電流，最大漏源電壓為30V，擁有4.7mΩ的超低導(dǎo)通電阻，支持±20V的柵源電壓。其卓越的電氣特性適合應(yīng)用于精密的電源管理、快速開關(guān)電路和高效的能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中。低導(dǎo)通電阻不僅減少了功率損耗，還提高了系統(tǒng)的整體效率，確保了在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。此外，該MOSFET的緊湊設(shè)計(jì)也便于集成到空間受限的設(shè)計(jì)中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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