HSI4946CDYT1GE3_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:6.5A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:32mR 參數(shù)4：溝道類型:N+N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款NN溝道場效應(yīng)管具有良好的電氣性能，適用于多種電子設(shè)備。其關(guān)鍵參數(shù)包括最大連續(xù)漏極電流ID為6.5A，能夠承受最高達(dá)60V的漏源電壓VDSS，保證了在較高電壓環(huán)境下的可靠性；導(dǎo)通電阻RDON為32mΩ，有助于降低系統(tǒng)功耗；柵源電壓VGS支持至20V，使得該MOSFET易于被各種控制器驅(qū)動(dòng)。它特別適合于需要緊湊設(shè)計(jì)與高效能轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景，例如消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的開關(guān)電路或電源轉(zhuǎn)換器等。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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