H2N7002LT1G_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:SOT-23 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:0.3A 參數(shù)2:電壓VDSS:60V 參數(shù)3:RDON:1000mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管具有0.3A的連續(xù)漏極電流能力,支持高達(dá)60V的漏源電壓。其導(dǎo)通電阻為1000毫歐姆,確保了較低的功率損耗和較高的效率。柵源電壓范圍達(dá)到20V,允許在多種電路設(shè)計(jì)中靈活應(yīng)用。這款MOSFET適用于需要精確控制和高可靠性的場(chǎng)合,如電源管理、信號(hào)處理等領(lǐng)域,能夠有效滿足對(duì)開關(guān)速度與能耗比有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
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- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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