HSQD40N0614LGE3_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:50A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:11mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)的最大漏極電流ID為50A，能夠承受高達(dá)60V的漏源電壓VDSS，適用于需要處理中等功率的應(yīng)用場合。其導(dǎo)通電阻RDON為11mΩ，有助于降低工作時(shí)的能耗并提高整體效率。柵源電壓VGS支持至20V，確保了與多種驅(qū)動(dòng)電路的良好兼容性。此MOSFET非常適合用于電子設(shè)備中的開關(guān)控制、電源管理以及信號(hào)調(diào)節(jié)等領(lǐng)域，滿足對快速響應(yīng)時(shí)間和可靠性的要求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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