HIPD220N06L3GBTMA1_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:50A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:15mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買>-------
這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）設(shè)計(jì)用于高效率的電流控制應(yīng)用，支持高達(dá)50A的連續(xù)漏極電流（ID）和60V的漏源擊穿電壓（VDSS）。其15毫歐的導(dǎo)通電阻（RDON）在20V柵源電壓（VGS）下表現(xiàn)出色，有效減少了功率損失，提升了系統(tǒng)效率。該MOSFET適用于電源供應(yīng)、電池管理及電子設(shè)備中的快速開(kāi)關(guān)操作，確保了設(shè)備運(yùn)行的穩(wěn)定性和安全性。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
