HDMN601DWK_SOT-363_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:0.1A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:1300mR 參數(shù)4：溝道類型:N+N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有0.1A的排水電流（ID），能夠承受60V的漏源電壓（VDSS）。其導(dǎo)通電阻（RDSON）為1300毫歐，在柵源電壓（VGS）為20V時提供可靠的性能。該MOSFET適用于對電流需求不高但對電壓敏感的應(yīng)用，如消費(fèi)電子產(chǎn)品的信號級驅(qū)動或低壓控制電路中作為開關(guān)使用。其特性使得它在需要精細(xì)控制的小信號處理場合中表現(xiàn)良好。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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