HDMNH6008SPS_DFN5X6-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:5.3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有80A的最大持續(xù)電流（ID/A），能夠承受最高60V的漏源電壓（VDSS/V）。導(dǎo)通電阻僅為5.3毫歐（RDSON/mΩ），可在高功率應(yīng)用中減少能量損失。此MOSFET的柵源電壓（VGS/V）額定值為25V，確保了可靠的開關(guān)性能。適用于要求高效能和低功耗的應(yīng)用場景，如便攜式設(shè)備電源管理或消費電子產(chǎn)品中的電流控制等。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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