HSI2351DST1GE3_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:2.3A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:120mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款P溝道場效應(yīng)管支持2.3A的連續(xù)漏極電流，具備20V的最大漏源電壓能力。其導(dǎo)通電阻為120毫歐姆，確保了在工作時具有較低的能量損耗。柵源電壓范圍達到12V，適合于需要高精度控制的應(yīng)用場合。由于其優(yōu)良的電氣特性和可靠性，該MOSFET非常適合用于消費電子產(chǎn)品及家用設(shè)備中的電源管理電路、負載開關(guān)以及其他要求高效能轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定工作的電子設(shè)計中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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