HSI2319DDST1GE3_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:5A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:68mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備5A的連續(xù)漏極電流能力和40V的漏源電壓耐受值，適用于中低功率應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻為68毫歐姆，在確保電路穩(wěn)定的同時(shí)控制了功耗。柵源電壓范圍達(dá)到20V，使得該器件能夠與多種邏輯電平兼容。此類(lèi)MOSFET非常適合于便攜式設(shè)備、消費(fèi)電子產(chǎn)品中的電源管理和信號(hào)開(kāi)關(guān)等功能，提供了可靠的性能表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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