HNTMFS4C08NT1G_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:90A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有90安培的最大連續(xù)漏極電流和30伏特的漏源擊穿電壓，適合應(yīng)用于需要高效能和高可靠性的電路中。其極低的導(dǎo)通電阻僅為3.5毫歐，顯著降低了功率損耗，提升了系統(tǒng)的整體效率。配合20伏特的柵極閾值電壓，確保了快速而精確的開關(guān)控制能力。該MOSFET適用于各種電源轉(zhuǎn)換、信號(hào)處理等應(yīng)用場(chǎng)景，能夠滿足復(fù)雜電子系統(tǒng)對(duì)元件性能的嚴(yán)格要求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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