HIPD50N06S4L08ATMA2_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:6mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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此款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）擁有80安培的最大連續(xù)漏極電流和60伏特的漏源擊穿電壓，適用于需要高電流承載能力和良好耐壓性能的電路設(shè)計(jì)。其導(dǎo)通電阻僅為6毫歐，有效減少了工作時(shí)的熱量產(chǎn)生，提高了能量轉(zhuǎn)換效率。結(jié)合20伏特的柵極閾值電壓，確保了優(yōu)秀的開關(guān)特性，適用于高頻開關(guān)電源、電池管理系統(tǒng)以及各類電子設(shè)備中的精密控制。該MOSFET憑借其出色的性能，成為實(shí)現(xiàn)高效、緊湊電路設(shè)計(jì)的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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