HPMV30UN2_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:6A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買>-------
這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有6A的連續(xù)排水電流（ID），最大承受漏源電壓（VDSS）為20V，導(dǎo)通電阻（RDSON）為22毫歐，并在柵源電壓（VGS）為12V時(shí)正常工作。該MOSFET適用于需要高效率和快速開(kāi)關(guān)特性的應(yīng)用，如便攜設(shè)備的電源管理單元或電子玩具中的信號(hào)放大與處理部分，能夠在這些應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)低功耗及穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。其較低的導(dǎo)通電阻有助于減少能量損失，適合用于對(duì)功耗敏感的設(shè)計(jì)中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
