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HAM60N0209D_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數(shù)1:電流ID:60A 參數(shù)2:電壓VDSS:20V 參數(shù)3:RDON:5mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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這款N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)能夠承載60A的持續(xù)漏極電流,具有20V的漏源電壓耐受能力。其導(dǎo)通電阻僅為5mΩ,有助于減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率。該MOSFET在12V柵源電壓下表現(xiàn)出色,適用于需要高效能和快速響應(yīng)的應(yīng)用場合,如消費(fèi)電子設(shè)備中的電源管理、開關(guān)電源、便攜式設(shè)備的電池保護(hù)電路以及各種家用電器內(nèi)的控制模塊。

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  • 深圳市華軒陽電子有限公司
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