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HSBSS84LT1G_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-23 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:0.1A 參數(shù)2:電壓VDSS:50V 參數(shù)3:RDON:2000mR 參數(shù)4:溝道類型:P 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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這款P溝道場效應(yīng)管(MOSFET)具有精細(xì)的電流處理能力,其最大導(dǎo)通電流ID為0.1A,適用于微小電流的應(yīng)用場景;漏源電壓VDSS為50V,適合在低壓系統(tǒng)中使用;導(dǎo)通狀態(tài)下的漏源電阻RDSON為2000毫歐,能夠在低功率要求的情況下提供穩(wěn)定的性能。此MOSFET支持最大柵源電壓VGS為20V,適用于設(shè)計(jì)需要精確電流控制的電子玩具、家用電器控制電路以及個(gè)人電子產(chǎn)品中的負(fù)載開關(guān)等場合。

企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:張婉儀
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  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014