HIPD068P03L3GATMA1_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5.5mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有80A的最大連續(xù)漏極電流（ID），能夠在高達(dá)30V的漏源電壓（VDSS）下工作。其導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為5.5毫歐，在25V的柵源電壓（VGS）驅(qū)動(dòng)下能確保低功耗和高效率。這類器件適用于需要高效能電源管理的應(yīng)用中，如消費(fèi)電子產(chǎn)品中的開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器及電池供電設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)等。其緊湊的設(shè)計(jì)與優(yōu)異的熱性能使其成為便攜式與空間受限應(yīng)用的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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